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UCC21710DWR适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

gh正在供货

产品品牌: TI

产品型号: UCC21710DWR

产品描述:

适用于 IGBT/SiC MOSFET、具有 OC 检测和内部钳位的 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

产品描述:

UCC21710是一款电流隔离单通道栅极驱动器,设计用于驱动高达1700V的SIC MOSFET和IGBT。它具有先进的集成保护、一流的动态性能和坚固耐用。UCC21710具有高达±10-A的峰值源极电流和峰值电流。

输入侧与输出侧采用SIO2电容隔离技术,支持高达1.5千伏的RMS工作电压,隔离势垒寿命超过40年,12.8千伏的PK浪涌抗扰性,以及低器件偏斜和>;150V/ns共模抗噪(CMTI)。

UCC21710包括先进的保护功能,如快速过流和短路检测、并联电流检测支持、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源UVLO,以优化SIC和IGBT开关行为和稳健性。隔离的模拟至PWM传感器可用于更轻松的温度或电压检测,进一步提高驱动器的通用性,并简化系统设计工作量、尺寸和成本。

产品特性:

  • 5.7 kv RMS单通道隔离栅驱动器
  • 驱动SiC mosfet和igbt高达2121Vpk
  • >33 v输出驱动电压(VDD-VEE)
  • ±10-A驱动强度和分路输出
  • 150-V/ns最小CMTI
  • 4-A内部有源Miller钳
  • 400-mA软关断故障状态
  • 隔离模拟传感器与PWM输出
    • NTC温度感应,PTC或热二极管
    • 高压直流或相电压
  • 报警FLT过电流并复位RST/EN
  • 快速启用/禁用响应overline">RST/EN
  • 拒绝输入引脚上的40-ns瞬态噪声和脉冲
  • 12v VDD UVLO,电源在RDY上
  • 输入/输出具有过/欠瞬态电压抗扰度高达5 V
  • 130-ns()传播延迟和30-ns()脉冲/部分倾斜
  • SOIC-16 DW封装具有蠕滑和间隙距离>8mm
  • 工作结温-40℃~ 150℃

通道数量1

耐受隔离电压(VISO)(Vrms)5700

电源开关IGBT,SiCFET

峰值输出电流(A)10

输出VCC/VDD(Max)(V)33

输出VCC/VDD(Min)(V)13

输入VCC(Min)(V)3

输入VCC(Max)(V)5.5

输出类型(µs)0.09

温度范围(C)-40to125

Under电压lockout(规格)(V)12

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