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CSD25485F5T

型号：CSD25485F5T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 8.3

    • 100+¥ 5.6
    • 250+¥ 4.4

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CSD25501F3

型号：CSD25501F3

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.3

    • 100+¥ 0.85
    • 250+¥ 0.643
    • 1000+¥ 0.425

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CSD25485F5

型号：CSD25485F5

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、42mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 2.1

    • 100+¥ 1.5
    • 250+¥ 1.1
    • 1000+¥ 0.746

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CSD25484F4

型号：CSD25484F4

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.5

    • 100+¥ 1
    • 250+¥ 0.796
    • 1000+¥ 0.528

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CSD25484F4T

型号：CSD25484F4T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 6.9

    • 100+¥ 4.7
    • 250+¥ 3.6
    • 1000+¥ 2.4

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CSD25483F4T

型号：CSD25483F4T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 6.8

    • 100+¥ 4.4
    • 250+¥ 3.3
    • 1000+¥ 2.4

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CSD25483F4

型号：CSD25483F4

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、245mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.1

    • 100+¥ 0.726
    • 250+¥ 0.55
    • 1000+¥ 0.363

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CSD25481F4T

型号：CSD25481F4T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 15.5

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CSD25481F4

型号：CSD25481F4

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.5

    • 100+¥ 0.955
    • 250+¥ 0.717
    • 1000+¥ 0.478

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CSD25480F3T

型号：CSD25480F3T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 6.8

    • 100+¥ 4.4
    • 250+¥ 3.3
    • 1000+¥ 2.2

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CSD25480F3

型号：CSD25480F3

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、159mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.1

    • 100+¥ 0.697
    • 250+¥ 0.528

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CSD25404Q3T

型号：CSD25404Q3T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：VSON-CLIP|8

批次：3年内

2周内
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 9.8

    • 100+¥ 7.5
    • 250+¥ 5.5

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CSD25402Q3AT

型号：CSD25402Q3AT

品牌：TI

库存：250

描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：VSONP|8

批次：3年内

2周内
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 7.5

    • 100+¥ 5.8
    • 250+¥ 4.3
    • 1000+¥ 3

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CSD25404Q3

型号：CSD25404Q3

品牌：TI

库存：2500

描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：VSON-CLIP|8

批次：3年内

2周内
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 6.8

    • 100+¥ 5.2
    • 250+¥ 3.9
    • 1000+¥ 2.8

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CSD25402Q3A

型号：CSD25402Q3A

品牌：TI

库存：2500

描述：采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：VSONP|8

批次：3年内

2周内
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采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、8.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 4.9

    • 100+¥ 3.8
    • 250+¥ 2.8
    • 1000+¥ 2.2

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CSD25310Q2T

型号：CSD25310Q2T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：WSON|6

批次：3年内

2周内
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采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 8.8

    • 100+¥ 6
    • 250+¥ 4.6
    • 1000+¥ 3.1

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CSD25310Q2

型号：CSD25310Q2

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：WSON|6

批次：3年内

2周内
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采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、23.9mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 2.3

    • 100+¥ 1.7
    • 250+¥ 1.3
    • 1000+¥ 0.866

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CSD25304W1015

型号：CSD25304W1015

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|6

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 2.7

    • 100+¥ 2
    • 250+¥ 1.6
    • 1000+¥ 1

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