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CSD25304W1015T

型号：CSD25304W1015T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|6

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装的单路、32.5mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 8.8

    • 100+¥ 5.9
    • 250+¥ 4.6
    • 1000+¥ 3

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CSD25213W10

型号：CSD25213W10

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|4

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、47mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.9

    • 100+¥ 1.3
    • 250+¥ 0.985
    • 1000+¥ 0.657

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CSD25211W1015

型号：CSD25211W1015

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|6

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 3.1

    • 100+¥ 2.3
    • 250+¥ 1.8
    • 1000+¥ 1.2

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CSD25202W15T

型号：CSD25202W15T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|9

批次：3年内

2周内
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 9.6

    • 100+¥ 6.6
    • 250+¥ 5.1
    • 1000+¥ 3.4

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CSD25202W15

型号：CSD25202W15

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|9

批次：3年内

2周内
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、26mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 3.8

    • 100+¥ 2.6
    • 250+¥ 2.2
    • 1000+¥ 1.4

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CSD23382F4T

型号：CSD23382F4T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 7.3

    • 100+¥ 4.7
    • 250+¥ 3.6
    • 1000+¥ 2.4

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CSD23382F4

型号：CSD23382F4

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.5

    • 100+¥ 0.975
    • 250+¥ 0.737
    • 1000+¥ 0.488

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CSD23381F4T

型号：CSD23381F4T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 6.8

    • 100+¥ 4.4
    • 250+¥ 3.3
    • 1000+¥ 2.4

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CSD23381F4

型号：CSD23381F4

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、175mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.1

    • 100+¥ 0.697
    • 250+¥ 0.528
    • 1000+¥ 0.348

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CSD23285F5T

型号：CSD23285F5T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 8.3

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CSD23285F5

型号：CSD23285F5

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、35mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 2.1

    • 100+¥ 1.5
    • 250+¥ 1.1
    • 1000+¥ 0.746

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CSD23280F3T

型号：CSD23280F3T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 6.8

    • 100+¥ 4.4
    • 250+¥ 3.3
    • 1000+¥ 2.4

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CSD23203WT

型号：CSD23203WT

品牌：TI

库存：250

描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|6

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 8.4

    • 100+¥ 5.7
    • 250+¥ 4.4
    • 1000+¥ 2.9

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CSD23280F3

型号：CSD23280F3

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：PICOSTAR|3

批次：3年内

2周内
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采用 0.6mm x 0.7mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、116mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 1.1

    • 100+¥ 0.697
    • 250+¥ 0.528
    • 1000+¥ 0.348

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CSD23203W

型号：CSD23203W

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|6

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、19.4mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 2.6

    • 100+¥ 2
    • 250+¥ 1.5
    • 1000+¥ 1

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CSD23202W10T

型号：CSD23202W10T

品牌：TI

库存：250

描述：采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|4

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 16.9

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CSD22206WT

型号：CSD22206WT

品牌：TI

库存：250

描述：采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|9

批次：3年内

2周内
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采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 10.5

    • 100+¥ 7.2
    • 250+¥ 5.5
    • 1000+¥ 3.7

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CSD23202W10

型号：CSD23202W10

品牌：TI

库存：3000

描述：采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

封装：DSBGA|4

批次：3年内

2周内
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采用 1mm x 1mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、53mΩ、-12V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

  • 商品价格1+¥ 2.2

    • 100+¥ 1.5
    • 250+¥ 1.2
    • 1000+¥ 0.776

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