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在线产品描述:
该 29.7mΩ、-20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 技术经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
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产品特性:
- 低导通电阻
- 低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 1.53mm × 0.77mm
- 0.50mm 焊盘间距
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV HBM
- 额定值 > 2kV CDM
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
VDS(V)-20
VGS(V)-12
配置Single
Rds(on)atVGS=4.5V(max)(mΩ)42
Rds(on)atVGS=2.5V(max)(mΩ)70
Rds(on)atVGS=1.8V(max)(mΩ)250
Idpeak(max)(A)-31
Idmaxcont(A)-5.3
QG规格(nC)2.7
QGD规格(nC)0.56
QGS规格(nC)0.67
VGSTHtyp规格(V)-0.95
ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)3.2
逻辑电平Yes
温度范围(°C)-55to150
等级产品样本
370791121
2119841551