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在线产品描述:
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。低导通电阻与小型低厚度封装结合在一起，使得此器件成为电池供电运行空间受限应用的 理想选择。
产品特性:
- 双路 P 通道 MOSFET
- 共源配置
- 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
- 栅极 - 源电压钳位
- 栅极静电放电 (ESD) 保护 - 3kV
- 无铅
- 符合 RoHS 环保标准
- 无卤素
VDS(V)-20
VGS(V)-6
配置DualCommonSource
Rds(on)maxatVGS=4.5V(Max)(mΩ)108
Rds(on)maxatVGS=2.5V(Max)(mΩ)150
Rds(on)maxatVGS=1.8V(Max)(mΩ)285
Idpeak(Max)(A)-22
Idmaxcont(A)-1.6
QGtyp(规格)(nC)1.9
QGDtyp(规格)(nC)0.23
QGStyp(规格)(nC)0.48
VGSTHtyp(规格)(V)-0.8
Package(mm)WLP1.0x1.5
ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)1.6
逻辑电平Yes
370791121
2119841551