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这些低阈值耗尽模式(常导型)晶体管采用先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅制造工艺。这种组合生产的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热致二次击穿。垂直DMOS FET非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
产品特性:
- 高阻抗
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 耐低温性
- 摆脱二次故障
- 低输入低输出泄漏
这些低阈值耗尽模式(常导型)晶体管采用先进的垂直DMOS结构和久经考验的硅栅制造工艺。这种组合生产的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数。作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热致二次击穿。垂直DMOS FET非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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