产品描述:
LF298-MIL器件是单片采样保持电路,采用BI-FET技术,具有信号采集速度快、下降率低的特点,可获得超高的直流精度。作为单位增益跟随器工作,直流增益精度为典型的0.002%,采集时间低至6微米S至0.01%。采用双极输入级实现低失调电压和宽带宽。输入偏置调整由单个引脚完成,不会降低输入偏置漂移。宽带宽使LF298-MIL可以包含在1-MHz运算放大器的反馈环路中,而不会出现稳定性问题。1010Ω的输入阻抗允许在不降低精度的情况下使用高源阻抗。
P沟道结FET与输出放大器中的双极型器件相结合,通过1-µF保持电容提供低至5 mV/分钟的下降率。JFET的噪声比以前设计中使用的MOS器件低得多,并且不会表现出高温不稳定性。LF298-MIL的整体设计确保在保持模式下,即使输入信号等于电源电压,也不会有馈通。
LF298-MIL的逻辑输入是全差分的,输入电流低,允许直接连接到TTL、PMOS和CMOS。差动阈值为
1.4 V。LF298-MIL将在±5-V至±18-V电源范围内工作。
A版本具有更严格的电气规格。
产品特性:
- 工作范围从±5-V到±18-V电源
- 小于10µs采集时间
- 逻辑输入兼容TTL, PMOS, CMOS
- 0.5 mv典型保持步长Ch = 0.01µF
- 0.002%增益精度
- 保持模式低输出噪声
- 输入特性在保持模式期间不改变
- 高采样抑制比或保持
- 宽带宽
- 空间限定,JM38510
等级Military
温度范围(°C)0to0