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LM5109BSDX/NOPB
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品牌: TI
库存: 4500
封装: WSON-8
交期: 2周内
批次: 24+
预期库存: 2024年11月10日所在周具有49500以上
描述:

具有 8V UVLO 和高噪声抗扰度的 1A、100V 半桥栅极驱动器

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产品描述:

LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器,专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。

产品特性:

  • 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
  • 1A 峰值输出电流(1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流)
  • 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
  • 自举电源电压高达 108VDC
  • 短暂传播时间(典型值为 30ns)
  • 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
  • 优异的传播延迟匹配(典型值为 2ns)
  • 支持电源轨欠压锁定
  • 低功耗
  • 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装

应用

  • 电流反馈推挽式转换器
  • 半桥和全桥电源转换器
  • 固态电机驱动器
  • 双开关正激电源转换器

All trademarks are the property of their respective owners.

总线电压(Max)(V)90

电源开关MOSFET

输入VCC(Min)(V)8

输入VCC(Max)(V)14

峰值输出电流(A)1

上升时间(ns)0.015

温度范围(C)-40to125

Under电压lockout(规格)(V)8

等级产品样本

输出类型(µs)0.025

下降时间(ns)15

Iq(毫安)0.01

输入thresholdTTL

通道输入逻辑TTL

Negative电压handlingatHSpin(V)-1

驱动程序配置Dual,Independent

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