产品描述:
LM66200 是一款双输入理想二极管器件,具有 1.6V 至 5.5V 的额定电压和每通道 2.5A 的最大额定电流。该器件使用 N 沟道 MOSFET 在电源之间切换,同时在第一次施加电压时提供受控的压摆率。
凭借 1.32µA(典型值)的低静态电流和 50nA(典型值)的低待机电流,LM66200 适用于其中一个输入由电池供电的系统。这些低电流延长了电池的使用寿命和续航时间。
LM66200 采用自动二极管模式,可为电压最高的电源分配优先级,并将其输送至输出端。低电平有效使能引脚 (ON) 可禁用两个通道,允许用户在无需任一电源的情况下将器件设为关断模式。
产品特性:
- 输入电压范围:1.6V 至 5.5V
- 持续电流:2.5A
- 导通电阻:40mΩ(典型值)
- 待机电流:50nA(典型值)
- 静态电流:1.32µA(典型值)
- 自动二极管切换
- 受控输出压摆率:
- 电压为 3.3V 时为 1.3ms(典型值)
- VOUT 大于 VINx 时实现反向电流阻断
- 热关断
Vin(Min)(V)1.6
Vin(Max)(V)5.5
通道数量2
特性GateON/OFFcontrol,Inrushcurrentcontrol,Powergoodsignal,Reversecurrentblocking,热关机
Iq(规格)(毫安)0.0013
Iq(Max)(毫安)0.0044
FETIntegratedsingleFET
温度范围(C)-40to125
等级产品样本