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这些增强模式(常断)晶体管采用横向MOS结构和经过充分验证的硅栅制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和负温度系数。 作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热致二次击穿。低阈值电压和低导通电阻特性非常适合手持、电池供电的应用。
产品特性:
- 超低阈值
- 高阻抗
- 低输入电容
- 快速切换速度
- 耐低温性
- 从二次故障中解放出来
- 低输入低输出泄漏
这些增强模式(常断)晶体管采用横向MOS结构和经过充分验证的硅栅制造工艺。这种组合产生的器件具有双极晶体管的功率处理能力，并且具有MOS器件固有的高输入阻抗和负温度系数。 作为所有MOS结构的特征，这些器件没有热失控和热致二次击穿。低阈值电压和低导通电阻特性非常适合手持、电池供电的应用。
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