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SN74LVT162240DGVR
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品牌: Ti
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描述:

具有 TTL 兼容型 CMOS 输入和三态输出的 16 通道、2.7V 至 3.6V 反相器

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产品描述:

‘LVT162240器件是专为低电压(3.3-V)VCC操作而设计的16位缓冲器/驱动器,用于提高三态存储器地址驱动器、时钟驱动器以及面向总线的接收器和发射器的性能和密度。它们能够为5 V系统环境提供TTL接口。

这些器件可用作四个4位缓冲器、两个8位缓冲器或一个16位缓冲器,并提供反相输出和对称的有效-低输出使能(系列电阻,以减少过冲和欠冲。

当VCC介于0和1.5 V之间时,器件在上电或断电期间处于高阻抗状态。然而,为确保1.5 V以上的高阻抗状态,OE应通过上拉电阻连接到VCC;该电阻的最小值由驱动器的电流吸收能力决定。

这些设备完全适用于使用IOFF和加电3状态的热插拔应用。IOFF电路禁用输出,防止在设备断电时通过设备的破坏性电流回流。通电三态电路在通电和断电期间将输出置于高阻抗状态,从而防止驱动器冲突。

SN54LVT162240的特点是在-55°C到125°C的全军用温度范围内工作。SN74LVT162240的特点是在-40°C到85°C的范围内工作。

产品特性:

  • 德州仪器Widebus™系列产品
  • 进的BiCMOS技术(ABT)设计,用于3.3 v工作和低静态功耗
  • 输出端口具有等效的22-系列电阻,因此不需要外部电阻
  • 支持混合模式信号操作(5-V输入和输出电压3.3 V VCC)
  • 支持非调节电池操作低至2.7 V
  • 典型VOLP(输出地反弹)<0.8 V VCC = 3.3 V,TA = 25℃
  • Ioff和Power-Up三态支持热插入
  • 分布式VCC和GND引脚最小化高速开关噪声
  • 流通架构优化PCB布局
  • 锁存性能超过100 mA Per JESD 78;II类
  • ESD保护超过JESD 22
    • 2000-V人体模型(A114-A)
    • 200-V机器模型(A115-A)
    • 1000-V充电器件模型(C101)
  • >包装选项包括塑料收缩小轮廓(DL),薄收缩小轮廓(DGG)和薄非常小轮廓(DGV)封装和380-mil细间距陶瓷平面(WD)封装使用25-mil中心间距

Widebus是Texas Instruments的商标

技术系列LVT

供电电压(Min)(V)2.7

供电电压(Max)(V)3.6

通道数量16

有效输入电压(Max)(毫安)12

IOH(Max)(毫安)-12

供应电流(Max)(µA)5000

输入类型TTL-CompatibleCMOS

输出类型3-State

特性Balancedoutputs,Ultrahighspeed(tpd<5ns),Partialpowerdown(Ioff),Over-电压tolerantinputs,Powerup3-state,Dampingresistors

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