当前位置:首页>产品中心>电源管理>MOSFET>P 沟道 MOSFET>
CSD22202W15
CSD22202W15

CSD22202W15

  • 起订数量价格(含税)
  • 1+¥ 4.5
  • 10+¥ 3.9
  • 100+¥ 2.9
  • 500+¥ 2.3
  • 1000+¥ 1.8
  • 3000+¥ 1.6
  • 9000+¥ 1.4
  • 24000+¥ 1.3
  • 45000+¥ 1.3

询价立即询价 pdf下载pdf下载

gh正在供货I浏览量:37
品牌: Ti
库存: 8307
封装: Reel-Cut Tape-MouseReel-3000
交期: 84 天数
批次: 25+
预期库存:
描述:

采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、12.2mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

咨询客服:

产品描述:

此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内产生尽可能低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和低高度结合在一起,使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。

产品特性:

  • 低电阻
  • 小尺寸封装 1.5mm x 1.5mm
  • 无铅
  • 栅极静电放电 (ESD) 保护
  • 符合 RoHS 环保标准
  • 无卤素
  • 栅 - 源电压钳位

应用范围

  • 电池管理
  • 电池保护
  • 负载开关应用

All trademarks are the property of their respective owners.

VDS(V)-8

VGS(V)-6

配置Single

Rds(on)maxatVGS=4.5V(Max)(mΩ)12.2

Rds(on)maxatVGS=2.5V(Max)(mΩ)17.4

Idpeak(Max)(A)-48

Idmaxcont(A)-5

QGtyp(规格)(nC)6.5

QGDtyp(规格)(nC)1

QGStyp(规格)(nC)1.6

VGSTHtyp(规格)(V)-0.8

Package(mm)WLP1.5x1.5

ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)10

逻辑电平Yes

相关推荐

咨询微信客服

咨询客服

咨询QQ客服

客服热线:

0I0-52867770
0I0-52867771
I3811111452
I7896005796

技术支持

0I0-52867774
I7896005796
info@dorgean.com

仪器仪表网站

如需咨询本公司仪器仪表类产品,请点击跳转: