中文
EN
当前位置:
立即询价
pdf下载
正在供货
微信
QQ
在线产品描述:
此 –20V、64mΩ、P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够尽可能减小许多手持式和移动应用中的空间占用。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。集成的 10kΩ 钳位电阻器 (RC) 可根据占空比让栅极电压 (VGS) 高于最大内部栅极氧化值 –6V。通过二极管的栅极泄漏 (IGSS) 随着 VGS 增加到高于 –6V 而增加。
产品特性:
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.7mm × 0.6mm
- 薄型
- 高度为 0.22mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
VDS(V)-20
VGS(V)-20
配置Single
Rds(on)atVGS=4.5V(max)(mΩ)76
Rds(on)atVGS=2.5V(max)(mΩ)125
Rds(on)atVGS=1.8V(max)(mΩ)260
Idpeak(max)(A)-13.6
Idmaxcont(A)-3.6
QG规格(nC)1.02
QGD规格(nC)0.09
QGS规格(nC)0.45
VGSTHtyp规格(V)-0.75
ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)3.6
逻辑电平Yes
温度范围(°C)-55to150
等级产品样本
370791121
2119841551