DP8570AVX/NOPB

产品描述:

DP8570A旨在用于基于微处理器的系统中，其中多任务、数据记录或一般时间/日期信息需要信息。该器件采用低压硅栅微CMOS技术实现，可在电池备份环境中提供低待机功率。该电路的体系结构看起来像是一个连续的内存块或I/O端口。地址空间被组织为2个32字节的软件可选页面。这包括控制寄存器、时钟计数器、报警比较RAM、定时器及其数据RAM以及时间节约RAM。任何未用于其预期用途的RAM位置都可以用作通用的CMOSRAM。

时间和日期以BCD格式、12或24小时模式从1/100秒到年和闰年维护。设有星期、月日和年日计数器。时间由芯片上的晶体振荡器控制，只需添加晶体和两个电容器。晶体频率的选择是可编程选择的。

提供两个独立的多功能10 MHz 16位定时器。这些定时器以四种模式运行。每个都有自己的预分频器，可以选择8种可能的时钟输入中的任何一种。因此，通过对输入时钟和定时器计数器值进行编程，可以实现非常宽的定时持续时间范围。范围从约400 ns(4.915 MHz振荡器)到65,535秒(18小时12分钟)。

掉电逻辑和控制功能已集成到芯片上。该逻辑由TCP用来发出掉电

中断，并锁定µp接口。当V_BB>；V_CC时，掉电时间可自动记录到RAM中。此外，还提供了两个电源针。当V_BB>；V_CC时，内部电路将自动从主电源切换到电池电源。提供状态位以指示电池电源、系统电源和电池电量不足检测的初始应用。

产品特性:

• 全功能实时时钟/日历
  • 12/24小时模式计时
  • 四个可选振荡器频率
  • 并行谐振振荡器
• 两个16位定时器
  • 10mhz外部时钟频率
  可编程多功能输出
  • 灵活的重新触发设施
• 电源故障功能
  • 内部电源开关到外部电池
  • 电源总线故障保护
  • 在电源故障时自动记录进入RAM的时间
• 片上中断结构
  • 周期性，报警，定时器和电源故障中断
• 最多44字节的CMOS RAM
• INTR/MFO/T1引脚可编程高/低和推拉或开漏

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TRI-STATE®是国家半导体公司的注册商标。

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Iq(规格)(毫安)0.26

特性10-频率externalclockfrequency,12/24hour,并行总线接口

等级产品样本

温度范围(C)-40to85

供电电压(Max)(V)5.5

供电电压(Min)(V)4.5

DP8570AVX/NOPB