DP8573AV/NOPB

产品描述:

DP8573A旨在用于基于微处理器的系统中，其中多任务、数据记录或一般时间/日期信息需要信息。该器件采用低压硅栅微CMOS技术实现，可在电池备份环境中提供低待机功率。该电路的体系结构看起来像一个连续的内存块或I/O端口，组织成一个32字节的块。这包括控制寄存器、时钟计数器、报警比较RAM和时间节约RAM。

时间和日期以BCD格式、12或24小时模式维护，范围从1/100秒到年份和闰年。设有星期和月日计数器。时间由片上晶体振荡器控制，只需增加32.768 KHz晶体和两个电容器。

掉电逻辑和控制功能已集成到芯片上。该逻辑由RTC用来发出电源故障中断，并锁定µP接口。当V_BB>；V_CC时，掉电时间可自动记录到RAM中。此外，还提供了两个电源针。当V_BB>；V_CC时，内部电路将自动从主电源切换到电池电源。

DP8573A的中断结构提供三种基本类型的中断：周期性中断、报警/比较中断和电源故障。中断屏蔽和状态寄存器支持屏蔽和轻松确定每个中断。

产品特性:

• 全功能实时时钟/日历
  • 12/24小时模式计时
  • 星期计数器
  并行谐振振荡器
  • 电源故障特性
    电源总线故障保护
    • 电源故障时自动记录时间到RAM
• 片上中断结构
• 周期性，报警，

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TRI-STATE®是National Semiconductor Corporation的注册商标。

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<字体大小= " 2 "> 中国半导体公司

Iq(规格)(毫安)12

特性AutomaticlogoftimeintoRAMatpowerfailure,12/24hour,并行总线接口

等级产品样本

温度范围(C)-40to85

供电电压(Max)(V)5.5

供电电压(Min)(V)4.5

DP8573AV/NOPB