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在线产品描述:
LM74721-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护功能的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可承受并保护负载免受低至 –33V（直流）负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持功能。集成的 VDS 钳位功能可实现输入无 TVS 的系统设计，从而在汽车应用中实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制。具有快速导通和关断比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（如 ISO16750 或 LV124）期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能，期间 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 100kHz 的交流叠加输入信号。运行期间的低静态电流 35µA（最大值）可实现常开型系统设计。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许使用 EN 引脚实现负载断开控制。在 EN 处于低电平时，静态电流降至 3.3µA（最大值）。该器件具有可调节过压切断保护功能，可提供负载突降保护。
产品特性:
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 -33V
- 针对输入的无 TVS 运行集成 VDS 钳位，从而实现符合 ISO7637 标准的脉冲抑制
- 低静态电流：运行时 35µA（值）
- 3.3µA（值）低关断电流（EN = 低电平）
- 17 mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行
- 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 集成型 30mA 升压稳压器
- 快速响应反向电流阻断：0.5 µs
- 高达 100 kHz 的有源整流
- 可调节过压保护
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
- 与 LM74720-Q1 引脚对引脚兼容
Vin(min)(V)3
Vin(max)(V)65
通道数量1
特性汽车领域loaddumpcompatibility,Enable,IntegratedVDSclamp,Linearcontrol,Reversecurrentblocking,Reversepolarityprotection
Iq规格(毫安)0.032
Iq(max)(毫安)0.038
FETExternalback-to-backFET,ExternalsingleFET
IGatesink规格(毫安)2.1
IGatepulsed规格(A)2.1
温度范围(°C)-40to125
VSensereverse规格(mV)-6.5
DesignsupportEVM
等级汽车领域
VGS(max)(V)13
停机current(ISD)(毫安)(A)0.0035
设备类型Idealdiodecontroller
产品类型Idealdiodecontroller
370791121
2119841551