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在线产品描述:
LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480-Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。
产品特性:
- 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
- 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3V 至 65V 输入范围
- 反向输入保护低至 –65V
- 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
- 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管正常运行 (LM74800-Q1)
- 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs)
- 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
- 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
- 可调节过压保护
- 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平）
- 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态要求
- 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装
Vin(Min)(V)3
Vin(Max)(V)65
通道数量2
特性汽车领域loaddumpcompatibility,Inrushcurrentcontrol,Linearcontrol,Over电压protection,Reversecurrentblocking,Reversepolarityprotection
Iq(规格)(毫安)0.412
Iq(Max)(毫安)0.495
FETExternalback-to-backFET
IGatesource(规格)(uA)20000
IGatesink(规格)(毫安)2670
IGatepulsed(规格)(A)2.6
温度范围(C)-40to125
VSensereverse(规格)(mV)-4.5
DesignsupportEVM,SimulationModel
等级汽车领域
VGS(Max)(V)15
370791121
2119841551