当前位置:首页>产品中心>存储器>Serial Flash>8 Mbit>
SST25VF080B-50-4I-QAF-T
SST25VF080B-50-4I-QAF-T

SST25VF080B-50-4I-QAF-T

  • 起订数量价格(含税)
  • 1-24+¥ 15.3
  • 25-99+¥ 14.9
  • 100-999+¥ 14.4
  • 1000-4999+¥ 13.5
  • 5000-9999+¥ 12.7
  • 10000 ++¥ 12.1

询价立即询价 pdf下载pdf下载

gh正在供货I浏览量:93
品牌: mic
库存: 2000
封装: T/R
交期: 现货
批次: 25+
预期库存:
描述:

8MB 2.7-3.6V SPI串行闪存

咨询客服:

产品描述:

SST25VF080B器件具有更高的工作频率,从而降低了功耗。SST25VF080B SPI系列闪存采用SST专有的高性能CMOS SuperFlash技术制造。与其他方法相比,分裂栅单元设计和厚氧化物隧道注入器获得了更好的可靠性和可制造性。

产品特性:

  • 单电压读写操作-2.7-3.6V
  • Supports50MHzSPIclock(80MHznolongeravailableseeEOLNOTIFICATION)
  • 耐力:100,000次循环(典型)
  • 超过100年的数据保留
  • Program&EraseCurrent:30mA(max)
  • ActiveReadCurrent:10 mA(典型)
  • 待机电流:5微安(典型)
  • 统一4KBytesectors
  • Uniform32KByte&64KByteoverlayblocks
  • 芯片擦除时间:35毫秒(典型)
  • 扇区/数据块擦除时间:18ms(典型)
  • 字节编程时间:7微米S(典型)
  • DecreasetotalchipprogrammingtimeoverByte-Programoperations
  • 软件轮询BUSYbitin状态寄存器
  • 忙碌状态读取输出SOPininAI模式
  • Suspendsaserialsequencetothememorywithoutdeselectingthedevice
  • Enables/DisablestheLock-Downfunctionofthestatusregister
  • WriteprotectionthroughBlock-Protectionbitsinthestatusregister
  • 商业:0°CTO+70°C
  • 工业:-40°CTO+85°C
  • PackagesAvailable–8-leadSOIC(200mils)–8-contactWSON(6mmx5mm)–8-leadPDIP(300mils)–8-bumpCSP
  • 所有设备都符合RoHS

密度Density (Organization)

运算放大器电压(MIN)Operating Voltage Min. (V)

输出电压maxOper Voltage Max (V)

(max)时钟频率Max. Clock Freq.

pagesize_bPage Size (字节)

写保护Write Protected

wpschemeWrite Protect Scheme

耐久性Endurance

dataretention数据保留 (Years)

busmodesBus Modes

电池备份Battery Backup

SST25VF080B-50-4I-QAF-T

相关推荐

咨询微信客服

咨询客服

咨询QQ客服

客服热线:

0I0-52867770
0I0-52867771
I3811111452
I7896005796

技术支持

0I0-52867774
I7896005796
info@dorgean.com

仪器仪表网站

如需咨询本公司仪器仪表类产品,请点击跳转: