产品描述:
TLE214x和TLE214xA器件是高性能、内部补偿的运算放大器,采用德州仪器互补双极王者剑工艺制造。TLE214xA是TLE214x的一个更紧密的偏置电压等级。两者都是对标准行业产品的管脚兼容升级。
该设计结合了一个输入级,可同时实现10.5nV//100-pF负载适用于快速致动器/定位驱动器。在类似的测试条件下,0.01%的稳定时间为400 ns。
尽管6-MHz带宽在如此高的负载水平下降至1.8 MHz,但器件在电容负载高达10 nF的情况下是稳定的。因此,TLE214x和TLE214xA适用于低下垂采样保持和长电缆的直接缓冲,包括4 mA至20 mA电流回路。特殊设计还提高了对固有集成电路元件失配的不敏感度,最大偏置电压为500微伏,典型漂移为1.7微伏/°C。最小共模抑制比为85分贝,电源电压抑制比为90分贝。
在±2-V到±22-V范围内,器件性能相对独立于电源电压。输入可以在VCC0.3至VCC+之间工作,而不会导致反相,尽管每个输入可能会流出超过较低共模输入范围的过高输入电流。全NPN输出级在小电流负载条件下提供了VCcc/sup>cc0.1到Vcc+>1V的近轨输出摆幅。由于输出电流受到内部限制,器件可以承受任一电源的短路,但必须注意确保不超过最大封装功耗。这两个版本也可以用作比较器。VCC±的差动输入可以在不损坏设备的情况下保持。具有TTL电源电平的开环传播延迟通常为200 ns。当器件驱动超过推荐的输出摆幅限制时,这可以很好地指示输出级饱和恢复。
TLE214x和TLE214xA都有多种封装形式,包括行业标准的8针小外形版本和适用于高密度系统应用的芯片形式。C后缀设备的工作范围为0°C至70°C,I后缀设备的工作范围为40°C至105°C,M后缀设备的工作温度范围为55°C至125°C。产品特性:
- Low Noise
- 10 Hz...15 nV/Hz\
- 1 kHz...10.5 nV/Hz\
- 10000-pF Load Capability
- 20-mA Min Short-Circuit Output Current
- 27-V/µs Min Slew Rate
- High Gain-Bandwidth Product...5.9 MHz
- Low VIO ...500 µV Max at 25°C
- Single or Split Supply...4 V to 44 V
- Fast Settling Time
- 340 ns to 0.1%
- 400 ns to 0.01%
- Saturation Recovery...150 ns
- Large Output Swing
- VCC– +0.1 V to VCC+ –1 V
通道数量2
总电压(+5V=5,±5V=10)(Max)(V)44
总电压(+5V=5,±5V=10)(Min)(V)4
偏移电压(offset电压at25°C)(Max)(mV)1.5
GBW(规格)(频率)6
特性HighCloadDrive
电压转换速率(规格)(V/µs)45
全轨到轨IntoV-
Offsetdrift(规格)(µV/°C)1.7
Iqperchannel(规格)(毫安)3.3
1kHz频率电压值(规格)(nV/rtHz)10.5
共模抑制比(规格)(dB)108
等级产品样本
温度范围(C)-40to85,0to70
偏置电流(Max)(pA)1500000
输出电流(规格)(A)0.031
设计和组织双极
总谐波失真(规格)(%)0.0052