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这种低阈值、增强模式(常断)晶体管采用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅制造工艺。这种组合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特点，不会出现热失控和热致二次击穿。 垂直DMOS FET非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
产品特性:
- 低阈值(2.0Vmax)
- 高投入和高收益
- 摆脱二次故障
- 低速开关速度
这种低阈值、增强模式(常断)晶体管采用垂直DMOS结构和经过充分验证的硅栅制造工艺。这种组合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特点，不会出现热失控和热致二次击穿。 垂直DMOS FET非常适合需要极低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。
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