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TP5335MF-G-VAO
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描述:

P沟道增强型MOSFET

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产品描述:

TP5335是一款低阈值增强模式(常断)晶体管,采用先进的垂直DMOS结构和成熟的硅栅制造工艺。这种组合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力,并具有MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。该器件具有所有MOS结构的特点,不会出现热失控和热致二次击穿。 垂直DMOS FET非常适合需要高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速开关速度的各种开关和放大应用。

产品特性:

    • 高投入和高收益
    • 低功率驱动器要求
    • 轻松实现并行
    • 低速开关速度
    • 良好的热塑性稳定性
    • 集成源-节目代码
    • 摆脱二次故障

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