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这种增强模式(常断)晶体管采用垂直DMOS结构和硅栅制造工艺。这种组合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特征，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。
产品特性:
- 摆脱二次故障
- 低功率驱动器要求
- 轻松实现并行
- 低速开关速度
- 良好的热塑性稳定性
- 集成源-节目代码
- 高投入和高收益
这种增强模式(常断)晶体管采用垂直DMOS结构和硅栅制造工艺。这种组合产生了一种具有双极晶体管的功率处理能力和MOS器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。作为所有MOS结构的特征，该器件没有热失控和热引起的二次击穿。
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