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在线产品描述:
这款 19.9mΩ、–20V P 沟道器件旨在以超薄且具有出色散热特性的极小封装提供更低的导通电阻和栅极电荷。该器件将低导通电阻与 SON 2mm × 2mm 塑料封装的极小封装尺寸融为一体，堪称电池供电型空间受限应用的理想之选。
产品特性:
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低导通电阻
- 低热阻
- 无铅
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 2mm × 2mm 塑料封装
VDS(V)-20
VGS(V)-8
配置Single
Rds(on)atVGS=4.5V(max)(mΩ)23.9
Rds(on)atVGS=2.5V(max)(mΩ)32.5
Rds(on)atVGS=1.8V(max)(mΩ)89
Idpeak(max)(A)-48
Idmaxcont(A)-9.6
QG规格(nC)3.6
QGD规格(nC)0.5
QGS规格(nC)1.1
VGSTHtyp规格(V)-0.85
ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)9.6
逻辑电平Yes
温度范围(°C)-55to150
等级产品样本
370791121
2119841551