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在线产品描述:
这款 -20V、5.5mΩ NexFET 功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 旨在最大限度地降低功率转换和负载管理应用中的损耗。该器件采用 3.3mm × 3.3mm 小外形尺寸无引线 (SON) 封装，可提供出色的封装散热性能。
产品特性:
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 低 RDS(on)
- 无卤素
- 符合 RoHS 标准
- 无铅引脚镀层
- 小外形尺寸无引线 (SON) 3.3mm × 3.3mm 塑料封装
应用
- 直流-直流转换器
- 电池管理
- 负载开关
- 电池保护
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VDS(V)-20
VGS(V)-12
配置Single
Rds(on)atVGS=4.5V(max)(mΩ)6.5
Rds(on)atVGS=2.5V(max)(mΩ)12.1
Rds(on)atVGS=1.8V(max)(mΩ)150
Idpeak(max)(A)-240
Idmaxcont(A)-18
QG规格(nC)10.8
QGD规格(nC)2.2
QGS规格(nC)2.8
VGSTHtyp规格(V)-0.9
ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)-104
逻辑电平Yes
温度范围(°C)-55to150
等级产品样本
370791121
2119841551