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在线产品描述:
该 -20V、110mΩ P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时大幅减小封装尺寸。
产品特性:
- 低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 超小尺寸
- 0.73mm × 0.64mm
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
VDS(V)-20
VGS(V)-12
配置Single
Rds(on)atVGS=4.5V(max)(mΩ)159
Rds(on)atVGS=2.5V(max)(mΩ)260
Rds(on)atVGS=1.8V(max)(mΩ)840
Idpeak(max)(A)-10.4
Idmaxcont(A)-1.7
QG规格(nC)0.7
QGD规格(nC)0.1
QGS规格(nC)0.26
VGSTHtyp规格(V)-0.95
ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)1.7
逻辑电平Yes
温度范围(°C)-55to150
等级产品样本
370791121
2119841551