产品描述:
LM74501-Q1 与外部 N 沟道 MOSFET 搭配使用,可实现低损耗反极性保护解决方案。该器件支持 3.2V 至 65V 的宽电源电压输入范围。3.2V 输入电压支持特别适合对冷启动有严苛要求的汽车系统。该器件可以承受并保护负载免受低至 -18V 的负电源电压的影响。LM74501-Q1 没有反向电流阻断功能,适用于对有可能将能量传输回输入电源的负载(如汽车车身控制模块电机负载)提供输入反极性保护。
LM74501-Q1 控制器可提供适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵栅极驱动器。LM74501-Q1 具有一项独特的集成功能,即无需额外的 TVS 二极管(无 TVS)即可使系统符合汽车 ISO7637 脉冲 1 瞬态要求。LM74501-Q1 具有一个集成开关,可通过外部电阻分压器来实现电池电压监控。With the enable pin low, the controller is off and draws only around 1 µA of current, thus offering low system current when put into sleep mode.
产品特性:
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性
- 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
- 器件 HBM ESD 分类等级 2
- 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
- 3.2V 至 65V 输入范围(3.9V 启动)
- –18V 反向电压额定值
- 适用于外部 N 沟道 MOSFET 的电荷泵
- 栅极放电计时器:无需额外的 TVS 二极管(无 TVS)即可符合汽车 ISO7637-2 脉冲 1 瞬态要求
- 1µA 关断电流(EN = 低电平)
- 80µA 典型工作静态电流(EN = 高电平)
- 20V VDS 钳位(EN = 低电平)
- 集成电池电压监控开关 (SW)
- 2.90mm × 1.60mm 8 引脚 SOT-23 封装
Vin(Min)(V)3.2
Vin(Max)(V)65
通道数量1
特性汽车领域loaddumpcompatibility,Enable,IntegratedVDSclamp,Reversepolarityprotection
Iq(规格)(毫安)0.08
Iq(Max)(毫安)0.13
FETExternalsingleFET
IGatesource(规格)(uA)11000
IGatepulsed(规格)(A)2.3
温度范围(C)-40to125
等级汽车领域