中文
EN
当前位置:
立即询价
pdf下载
正在供货
微信
QQ
在线产品描述:
该 90mΩ、20V P 沟道 FemtoFET™ MOSFET 经过设计和优化，能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
。
.
.
产品特性:
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）
- 1mm × 0.6mm
- 薄型封装
- 厚度为 0.36mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 > 4kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 > 2kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
VDS(V)-20
VGS(V)-12
配置Single
Rds(on)atVGS=4.5V(max)(mΩ)105
Rds(on)atVGS=2.5V(max)(mΩ)175
Rds(on)atVGS=1.8V(max)(mΩ)800
Idpeak(max)(A)-10
Idmaxcont(A)-2.5
QG规格(nC)0.913
QGD规格(nC)0.153
QGS规格(nC)0.24
VGSTHtyp规格(V)-0.95
ID-siliconlimitedatTC=25°C(A)2.5
逻辑电平Yes
温度范围(°C)-55to150
等级产品样本
370791121
2119841551