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LM74810QDRRRQ1
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品牌: Ti
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封装: Reel-Cut Tape-3000
交期: 84 天数
批次: 25+
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描述:

支持驱动背对背 NFET、具有高栅极驱动能力的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

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产品描述:

LM74810-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背对背 N 沟道 MOSFET,从而模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极管,以实现反向输入保护和输出电压保持。具有 60mA 峰值栅极拉电流驱动器级以及短导通和关断延迟时间的 3.8mA 强电荷泵可确保快速的瞬态响应,从而确保在汽车测试(如 ISO16750 或 LV124)期间实现稳健、高效的 MOSFET 开关性能,在汽车测试中 ECU 会收到输入短时中断以及频率高达 200KHz 的交流叠加输入信号。在电源路径中使用了第二个 MOSFET 的情况下,该器件允许负载断开(开/关控制)并使用 HGATE 控制提供过压保护。该器件具有可调节过压切断保护功能,以提供负载突降保护。

产品特性:

  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准
    • 器件温度等级 1: –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围
    • 器件 HBM ESD 分类等级 2
    • 器件 CDM ESD 分类等级 C4B
  • 3V 至 65V 输入范围
  • 反向输入保护低至 –65V
  • 驱动外部背对背 N 沟道 MOSFET
  • 9.1mV 阳极至阴极正向压降调节下,理想二极管正常运行
  • 低反向检测阈值 (–4mV),能够快速响应 (0.5µs)
  • 高达 200KHz 的有源整流
  • 60mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 集成 3.8mA 电荷泵
  • 可调节过压保护
  • 2.87µA 低关断电流(EN/UVLO = 低电平)
  • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流
  • 采用合适的 TVS 二极管,符合汽车 ISO7637 瞬态要求
  • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装

Vin(Min)(V)3

Vin(Max)(V)65

通道数量2

特性汽车领域loaddumpcompatibility,Inrushcurrentcontrol,Linearcontrol,Over电压protection,Reversecurrentblocking,Reversepolarityprotection

Iq(规格)(毫安)0.428

Iq(Max)(毫安)0.5

FETExternalback-to-backFET

IGatesource(规格)(uA)60000

IGatesink(规格)(毫安)1500

IGatepulsed(规格)(A)2.6

温度范围(C)-40to125

VSensereverse(规格)(mV)-4.5

DesignsupportEVM,SimulationModel

等级汽车领域

VGS(Max)(V)15

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